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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJE4353

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4448069

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJE4353

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Especificaciones

Número de pieza

MJE4353
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 160V 16A TO218
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MJE4353.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

160V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

3.5V @ 2A, 16A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

SOT-93
Serie

-
Potencia - Max

125W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-218-3
Otros nombres

MJE4353OS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

1MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 160V 16A 1MHz 125W Through Hole SOT-93
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 8A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

750µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

16A

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