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Imagen MJW21192G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJW21192G

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Especificaciones

Número de pieza

MJW21192G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 150V 8A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJW21192G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

150V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

2V @ 1.6A, 8A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

-
Potencia - Max

125W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

4MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 8A 4MHz 125W Through Hole TO-247
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 4A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

10µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

8A

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