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Imagen MJW21196G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJW21196G

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Especificaciones

Número de pieza

MJW21196G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 250V 16A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJW21196G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

250V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

3V @ 3.2A, 16A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

-
Potencia - Max

200W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

MJW21196GOS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

4MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 16A 4MHz 200W Through Hole TO-247
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 8A, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

16A

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