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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MMBT6517LT1G

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Imagen MMBT6517LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBT6517LT1G

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Especificaciones

Número de pieza

MMBT6517LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MMBT6517LT1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

350V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1V @ 5mA, 50mA
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Potencia - Max

225mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

MMBT6517LT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

200MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 50mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

50nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

MMBT6517

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