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3353231Imagen MMBT6427LT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBT6427LT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MMBT6427LT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MMBT6427LT1G.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    40V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.5V @ 500µA, 500mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    225mW
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    MMBT6427LT1GOSCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    36 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 500mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    20000 @ 100mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    500mA
  • Número de pieza base
    MMBT6427

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MMBT6427-7-F

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Descripción: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated
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MMBT6427LT3

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Descripción: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT-23

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Descripción: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23

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Descripción: TRANS 160V 350MW NPN SMD SOT-23

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Descripción: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23

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Descripción: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23

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Descripción: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23

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Descripción: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723

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