MMDF1N05ER2

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Especificaciones

Número de pieza

MMDF1N05ER2
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MMDF1N05ER2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 1.5A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

MMDF1N05ER2OSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12.5nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

50V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A
Número de pieza base

MMDF1N05E

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MMDF1N05ER2G

Descripción: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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