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MMDF2N02ER2

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MMDF2N02ER2
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    MMDF2N02ER2.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    100 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Potencia - Max
    2W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    MMDF2N02ER2OS
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    532pF @ 16V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    25V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 3.6A 2W Surface Mount 8-SOIC
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    3.6A

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