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440785Imagen MMFT960T1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMFT960T1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MMFT960T1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MMFT960T1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-223
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.7 Ohm @ 1A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    800mW (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-261-4, TO-261AA
  • Otros nombres
    MMFT960T1GOS
    MMFT960T1GOS-ND
    MMFT960T1GOSCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    65pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    3.2nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 300mA (Tc) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    300mA (Tc)

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