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MSD601-RT1G

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Especificaciones

Número de pieza

MSD601-RT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MSD601-RT1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

SC-59
Serie

-
Potencia - Max

200mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

MSD601-RT1GOSCT
MSD601RT1G
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-59
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

MSD601

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Descripción: MOD BRIDGE 3PH 1800V 50A M1

Fabricantes: Microsemi

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