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MSD6100G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MSD6100G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MSD6100G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 100mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    TO-92-3
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    4ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 135°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 200mA (DC) Through Hole TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 100V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    200mA (DC)
  • Número de pieza base
    MSD6100

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: POWER MOD RECT BRIDGE 3PH M2-1

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Descripción: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: TRANS NPN 50V 0.5A SC59

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Descripción: TRANS NPN 50V 0.1A SC59

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Descripción: MOD BRIDGE 3PH 1800V 100A M2-1

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Descripción: DIODE BRIDGE 1600V 50A SM2

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Descripción: MOD BRIDGE 3PH 1200V 100A M2-1

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Descripción: DIODE BRIDGE 3PH 1200V 50A SM2

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Descripción: MOD DIODE GPP 1600V 75A M2

Fabricantes: Microsemi
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MSD6100RLRA

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Descripción: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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