MTP10N10ELG

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Especificaciones

Número de pieza

MTP10N10ELG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MTP10N10ELG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

220 mOhm @ 5A, 5V
La disipación de energía (máximo)

1.75W (Ta), 40W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

MTP10N10ELGOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 10A (Tc) 1.75W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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Envío
Forma de pago

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31/03/2025

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