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MVDF2C03HDR2G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MVDF2C03HDR2G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MVDF2C03HDR2G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    70 mOhm @ 3A, 10V
  • Potencia - Max
    2W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    630pF @ 24V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel Complementary
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4.1A, 3A

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