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Imagen NTLUD3191PZTBG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLUD3191PZTBG

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Especificaciones

Número de pieza

NTLUD3191PZTBG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLUD3191PZTBG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

6-UDFN (1.6x1.6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

250 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Potencia - Max

500mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UFDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.5nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.1A 500mW Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.1A

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