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NCV5183DR2G

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$1.08
5000+
$1.04
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Especificaciones
  • Número de pieza
    NCV5183DR2G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NCV5183DR2G.pdf
  • Suministro de voltaje
    9 V ~ 18 V
  • Paquete del dispositivo
    8-SOIC
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100
  • Tiempo de subida / bajada (típico)
    12ns, 12ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    NCV5183DR2GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • estilo de la llave
    2
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    26 Weeks
  • Tensión lógica - VIL, VIH
    1.2V, 2.5V
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Non-Inverting
  • High Voltage - Máx (Bootstrap)
    600V
  • Tipo de Puerta
    N-Channel MOSFET
  • Configuración impulsada
    Half-Bridge
  • Descripción detallada
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  • Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero)
    4.3A, 4.3A
  • Corriente de carga
    Independent

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