NCV5230DR2G

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Especificaciones

Número de pieza

NCV5230DR2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NCV5230DR2G.pdf
Modelo ECAD
Alimentación de voltaje, simple / doble (±)

1.8 V ~ 15 V, ±0.9 V ~ 7.5 V
Voltaje - Offset de entrada

400µV
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Velocidad de subida

0.25 V/µs
Serie

Automotive, AEC-Q100
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de salida

Rail-to-Rail
Temperatura de funcionamiento

-
Número de circuitos

1
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Producto ganancia-ancho

600kHz
Descripción detallada

General Purpose Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
Suministro de corriente

1.1mA
Corriente - Salida / Canal

32mA
Corriente - polarización de entrada

40nA
Número de pieza base

NCV5230
Tipo amplificador

General Purpose

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NCV51511PDR2G

Descripción: HIGH SIDE AND LOW SIDE GA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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