NDB6060

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Especificaciones

Número de pieza

NDB6060
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NDB6060.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263AB)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 24A, 10V
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

NDB6060CT
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 48A (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

48A (Tc)

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