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1798250Imagen NDBA180N10BT4HAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDBA180N10BT4H

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NDBA180N10BT4H
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NDBA180N10BT4H.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    D²PAK (TO-263)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.8 mOhm @ 50A, 15V
  • La disipación de energía (máximo)
    200W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de funcionamiento
    175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    6950pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V, 15V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 180A (Ta) 200W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    180A (Ta)

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