NDS9956A

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Especificaciones

Número de pieza

NDS9956A
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NDS9956A.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.8V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 2.2A, 10V
Potencia - Max

900mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

NDS9956ADKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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