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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDS9957

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Especificaciones

Número de pieza

NDS9957
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NDS9957.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

160 mOhm @ 2.6A, 10V
Potencia - Max

900mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

NDS9957TR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A

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