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637869Imagen NGTB40N120FL2WGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NGTB40N120FL2WG
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1200V 80A 535W TO247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NGTB40N120FL2WG.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Condición de prueba
    600V, 40A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    116ns/286ns
  • Cambio de Energía
    3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    240ns
  • Potencia - Max
    535W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    NGTB40N120FL2WGOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    15 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    313nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 535W Through Hole TO-247
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    200A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    80A

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Descripción: IGBT 1200V 40A TO247

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Descripción: IGBT 600V 70A 300W TO247

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Descripción: IGBT 600V 30A TO247

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Descripción: IGBT 600V 60A 167W TO247

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Descripción: IGBT 600V 30A TO247

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Descripción: IGBT 40A 1200V TO-247

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Descripción: IGBT 600V 70A 300W TO247

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Descripción: IGBT 650V 70A 300W TO247

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