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Imagen NGTB40N65FL2WG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB40N65FL2WG

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Especificaciones

Número de pieza

NGTB40N65FL2WG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 650V 80A 366W TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NGTB40N65FL2WG.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A
Condición de prueba

400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

84ns/177ns
Cambio de Energía

970µJ (on), 440µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

72ns
Potencia - Max

366W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

NGTB40N65FL2WGOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
puerta de carga

170nC
Descripción detallada

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 366W Through Hole TO-247
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

160A
Corriente - colector (Ic) (Max)

80A

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