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899880Imagen NGTB50N60FL2WGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB50N60FL2WG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NGTB50N60FL2WG
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 600V 50A TO247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NGTB50N60FL2WG.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 50A
  • Condición de prueba
    400V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    100ns/237ns
  • Cambio de Energía
    1.5mJ (on), 460µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247-3
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    94ns
  • Potencia - Max
    417W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    220nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 600V 100A 417W Through Hole TO-247-3
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    200A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100A

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Descripción: IGBT 600V 50A TO247

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Descripción: IGBT 600V 50A TO247

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