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4868852Imagen NGTB50N60FWGON Semiconductor

NGTB50N60FWG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NGTB50N60FWG
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 600V 100A 223W TO247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NGTB50N60FWG.pdf
  • Voltaje - Offset (Vt)
    400V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100A
  • Tensión - Desglose
    TO-247
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    Trench
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    600V
  • Condición de prueba
    117ns/285ns
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    310nC
  • Cambio de Energía
    200A
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tube
  • Potencia - Max
    223W
  • Polarización
    TO-247-3
  • Otros nombres
    NGTB50N60FWGOS
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    77ns
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    NGTB50N60FWG
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    1.7V @ 15V, 50A
  • puerta de carga
    1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
  • Descripción ampliada
    IGBT Trench 600V 100A 223W Through Hole TO-247
  • Descripción
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Descripción: IGBT 1200V 100A 535W TO247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 600V 50A TO247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 600V 75A TO247

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Descripción: IGBT 600V 50A TO247

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Descripción: IGBT 600V 45A TO-247

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Descripción: IGBT 600V 50A TO247

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Descripción: IGBT 75A 600V TO-247

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Descripción: IGBT 600V 50A TO247

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Descripción: IGBT 600V 120A 298W TO247

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Descripción: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

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Descripción: IGBT 50A 600V TO-247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 650V 40A TO-247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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