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NGTD30T120F2WP

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NGTD30T120F2WP
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NGTD30T120F2WP.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Condición de prueba
    -
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    -
  • Cambio de Energía
    -
  • Paquete del dispositivo
    Die
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    21 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
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Descripción: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

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Descripción: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

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