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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > NGTD9R120F2WP

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NGTD9R120F2WP

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Especificaciones

Número de pieza

NGTD9R120F2WP
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NGTD9R120F2WP.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

2.6V @ 15A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1200V
Paquete del dispositivo

Die
Velocidad

-
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Die
Temperatura de funcionamiento - Junction

175°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 1200V Surface Mount Die
Corriente - Fuga inversa a Vr

1µA @ 1200V
Corriente - rectificada media (Io)

-
Capacitancia Vr, F

-

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