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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > NJL0281DG
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117682Imagen NJL0281DGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJL0281DG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NJL0281DG
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 260V 15A TO-264
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NJL0281DG.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    260V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 500mA, 5A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-264
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    180W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-264-5
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    30MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 260V 15A 30MHz 180W Through Hole TO-264
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    75 @ 3A, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    15A

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