NJVMJD31T4G

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Especificaciones

Número de pieza

NJVMJD31T4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 40V 3A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NJVMJD31T4G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
Potencia - Max

1.56W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

3MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V
Corriente - corte del colector (Max)

50µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

3A

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Descripción: TRANS PNP 100V 3A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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