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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > NJVMJD253T4G-VF01

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NJVMJD253T4G-VF01

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Especificaciones

Número de pieza

NJVMJD253T4G-VF01
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 100V 4A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NJVMJD253T4G-VF01.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

Automotive, AEC-Q101
Potencia - Max

12.5W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NJVMJD253T4G-VF01-ND
NJVMJD253T4G-VF01OSTR
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

40MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 12.5W Surface Mount DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 1V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

4A

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