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5358049Imagen NRVBM110ET1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NRVBM110ET1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NRVBM110ET1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NRVBM110ET1G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    595mV @ 2A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    10V
  • Paquete del dispositivo
    Powermite
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    POWERMITE®
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    DO-216AA
  • Otros nombres
    NRVBM110ET1GOSDKR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    4 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Schottky 10V 1A Surface Mount Powermite
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 10V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 60V 6A DPAK-3

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Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V 3A DPAK

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 30A D2PAK-3

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