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Imagen NRVBM130LT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NRVBM130LT3G

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Especificaciones

Número de pieza

NRVBM130LT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 30V 1A POWERMITE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NRVBM130LT3G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

520mV @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

30V
Paquete del dispositivo

Powermite
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

POWERMITE®
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-216AA
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 125°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
Descripción detallada

Diode Schottky 30V 1A Surface Mount Powermite
Corriente - Fuga inversa a Vr

50µA @ 10V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

-

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