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Imagen NRVUS360VDBT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NRVUS360VDBT3G

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Especificaciones

Número de pieza

NRVUS360VDBT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NRVUS360VDBT3G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.25V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

SMB
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)

75ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-214AA, SMB
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 3A Surface Mount SMB
Corriente - Fuga inversa a Vr

3µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

3A
Capacitancia Vr, F

-

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