NSS35200CF8T1G

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Especificaciones

Número de pieza

NSS35200CF8T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 35V 2A 8CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NSS35200CF8T1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

35V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 20mA, 2A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

ChipFET™
Serie

-
Potencia - Max

635mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

NSS35200CF8T1G-ND
NSS35200CF8T1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

100MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 635mW Surface Mount ChipFET™
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1.5A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

2A
Número de pieza base

NSS35200

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NSS40300MZ4T1G

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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