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NSS40300MDR2G

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Especificaciones

Número de pieza

NSS40300MDR2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NSS40300MDR2G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

170mV @ 200mA, 2A
Tipo de transistor

2 PNP (Dual)
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
Potencia - Max

653mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

NSS40300MDR2G-ND
NSS40300MDR2GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

100MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 1A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

3A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NSS40300MDR2G".

NSS30101LT1G

Descripción: TRANS NPN 30V 1A SOT-23

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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