NSV60600MZ4T1G

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Especificaciones

Número de pieza

NSV60600MZ4T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NSV60600MZ4T1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 600mA, 6A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

SOT-223-3
Serie

-
Potencia - Max

800mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

NSV60600MZ4T1G-ND
NSV60600MZ4T1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

100MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 6A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

6A
Número de pieza base

NSS60600

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NSV60600MZ4T3G

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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