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553801Imagen NSV9435T1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSV9435T1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NSV9435T1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NSV9435T1G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    30V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    550mV @ 300mA, 3A
  • Tipo de transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    SOT-223 (TO-261)
  • Serie
    -
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potencia - Max
    720mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-261-4, TO-261AA
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    4 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    110MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 3A 110MHz 720mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    125 @ 800mA, 1V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    -
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    3A

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