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1115259Imagen NTB082N65S3FAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTB082N65S3F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NTB082N65S3F
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    SUPERFET3 650V D2PAK PKG
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    NTB082N65S3F.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    5V @ 4mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    D²PAK (TO-263)
  • Serie
    SuperFET® III
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    82 mOhm @ 20A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    313W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    NTB082N65S3FOSCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3410pF @ 400V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    81nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    650V
  • Descripción detallada
    N-Channel 650V 40A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

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Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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Descripción: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12WLCSP

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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NTB18N06G

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NTB125N02RT4

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Descripción: MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NTB0104BQ,115

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Descripción: IC TRNSLTR BIDIR 14DHVQFN

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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Descripción: MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12WLCSP

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