NTD25P03L1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTD25P03L1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 25A IPAK3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTD25P03L1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 25A, 5V
La disipación de energía (máximo)

75W (Tj)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

NTD25P03L1GOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 25A (Ta) 75W (Tj) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Ta)

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NTD25P03LRLG

Descripción: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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