NTD25P03LT4

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Especificaciones

Número de pieza

NTD25P03LT4
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTD25P03LT4.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 25A, 5V
La disipación de energía (máximo)

75W (Tj)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NTD25P03LT4OS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 25A (Ta) 75W (Tj) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Ta)

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Descripción: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK

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