NTD5C648NLT4G

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Especificaciones

Número de pieza

NTD5C648NLT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

NTD5C648NLT4G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4.1 mOhm @ 45A, 10V
La disipación de energía (máximo)

4.4W (Ta), 76W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NTD5C648NLT4G-ND
NTD5C648NLT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

30 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 22A (Ta), 91A (Tc) 4.4W (Ta), 76W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 91A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTD5C648NLT4G".

NTD60N02RT4G

Descripción: MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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