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Imagen NTD60N02RT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD60N02RT4G

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Especificaciones

Número de pieza

NTD60N02RT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTD60N02RT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

10.5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta), 58W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NTD60N02RT4GOS
NTD60N02RT4GOS-ND
NTD60N02RT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.5A (Ta), 32A (Tc)

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