NTJD4158CT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTJD4158CT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTJD4158CT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 100µA
Paquete del dispositivo

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V
Potencia - Max

270mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

NTJD4158CT1G-ND
NTJD4158CT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

50 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.5nC @ 5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V, 20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 250mA, 880mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

250mA, 880mA
Número de pieza base

NTJD4158C

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTJD4158CT1G".

NTJD4401NT1

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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