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Imagen NTJD5121NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJD5121NT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTJD5121NT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTJD5121NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Potencia - Max

250mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

NTJD5121NT1G-ND
NTJD5121NT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

44 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.9nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

295mA
Número de pieza base

NTJD5121N

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