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Imagen NTJS4405NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJS4405NT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTJS4405NT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTJS4405NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

350 mOhm @ 600mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

630mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

NTJS4405NT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

48 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 1A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

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