NTMD2P01R2G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMD2P01R2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTMD2P01R2G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Potencia - Max

710mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

NTMD2P01R2GOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

16V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 16V 2.3A 710mW Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

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NTMD6N02R2

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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