NTMD6N02R2

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Especificaciones

Número de pieza

NTMD6N02R2
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTMD6N02R2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

35 mOhm @ 6A, 4.5V
Potencia - Max

730mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

NTMD6N02R2OS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.92A 730mW Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.92A
Número de pieza base

NTMD6N02

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTMD6N02R2".

NTMFD4902NFT3G

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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