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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > NTMFD4C20NT1G

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Imagen NTMFD4C20NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFD4C20NT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFD4C20NT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTMFD4C20NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

7.3 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max

1.09W, 1.15W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

NTMFD4C20NT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

46 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.3nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 13.7A 1.09W, 1.15W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.1A, 13.7A

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