NTMFD4C86NT3G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFD4C86NT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTMFD4C86NT3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-DFN (5x6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

5.4 mOhm @ 30A, 10V
Potencia - Max

1.1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1153pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22.2nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11.3A, 18.1A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NTMFD4C50NT1G

Descripción: MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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