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4403836Imagen NTMFD4C86NT3GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFD4C86NT3G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NTMFD4C86NT3G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NTMFD4C86NT3G.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.2V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-DFN (5x6)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5.4 mOhm @ 30A, 10V
  • Potencia - Max
    1.1W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1153pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    22.2nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    11.3A, 18.1A

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