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Imagen NTMFS4825NFET3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFS4825NFET3G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFS4825NFET3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTMFS4825NFET3G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2 mOhm @ 22A, 10V
La disipación de energía (máximo)

950mW (Ta), 96.2W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN, 5 Leads
Otros nombres

NTMFS4825NFET3GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5660pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40.2nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 17A (Ta), 171A (Tc) 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta), 171A (Tc)

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