NTMFS4827NET1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFS4827NET1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTMFS4827NET1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

6.95 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

870mW (Ta), 38.5W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN, 5 Leads
Otros nombres

NTMFS4827NET1G-ND
NTMFS4827NET1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 870mW (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.8A (Ta), 58.5A (Tc)

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Envío
Forma de pago

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31/03/2025

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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