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NTMFS4C09NBT3G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFS4C09NBT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V SO8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
La disipación de energía (máximo)

760mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1252pF @ 15V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 760mW (Ta) Surface Mount

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